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凯发k8娱乐官网app中电化合物半导体申请碳化硅晶体的生长装置及其应用专利获得高

来源:凯发娱发K8官网 发布时间:2025-08-16

  金融界2025年7月28日消息◈✿ღ★◈,国家知识产权局信息显示◈✿ღ★◈,中电化合物半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体的生长装置及其应用”的专利凯发k8娱乐官网app◈✿ღ★◈,公开号CN120366887A邪魅少爷们霸上小公主的唇凯发k8娱乐官网app◈✿ღ★◈,申请日期为2025年04月◈✿ღ★◈。

  专利摘要显示◈✿ღ★◈,本发明提供一种碳化硅晶体的生长装置及其应用邪魅少爷们霸上小公主的唇邪魅少爷们霸上小公主的唇◈✿ღ★◈,所述生长装置至少包括◈✿ღ★◈:坩埚◈✿ღ★◈,包括侧部和底部天生赢家·一触即发◈✿ღ★◈,◈✿ღ★◈,所述侧部环绕设置在所述底部的一侧◈✿ღ★◈;盖体◈✿ღ★◈,设置在所述侧部远离所述底部的一侧上◈✿ღ★◈;第一加热器◈✿ღ★◈,环绕设置在所述坩埚外◈✿ღ★◈,且靠近所述盖体一侧设置◈✿ღ★◈;第二加热器◈✿ღ★◈,环绕设置在所述坩埚外◈✿ღ★◈,且靠近所述底部一侧设置◈✿ღ★◈,且所述第二加热器与所述第一加热器之间保持预设距离◈✿ღ★◈;第三加热器◈✿ღ★◈,间隔设置在所述盖体远离所述坩埚的一侧上◈✿ღ★◈;碳化硅粉料◈✿ღ★◈,装填在所述底部靠近所述侧部的一侧上◈✿ღ★◈;以及碳化硅籽晶邪魅少爷们霸上小公主的唇◈✿ღ★◈,悬挂在所述盖体靠近所述坩埚的一侧上凯发k8娱乐官网app◈✿ღ★◈。通过本发明提供的碳化硅晶体的生长装置及其应用邪魅少爷们霸上小公主的唇◈✿ღ★◈,能够获得高质量的大直径碳化硅晶体邪魅少爷们霸上小公主的唇邪魅少爷们霸上小公主的唇凯发k8娱乐官网app◈✿ღ★◈。

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